[发明专利]微元件制造方法及由该方法形成的元件在审
| 申请号: | 201580024291.0 | 申请日: | 2015-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN106415798A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 王英男;黄健星 | 申请(专利权)人: | 动力专家有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;B81C1/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 刘慧,杨青 |
| 地址: | 中国香*** | 国省代码: | 香港;81 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种形成多层次元件的方法,所述元件具有第一层次的第一表面部分和第二层次的第二表面部分,所述第二层次的层次不同于所述第一层次的层次,所述方法包括下列步骤通过一种或多种光刻法在掩模材料中以预定布置形成至少一种微槽的布置或其间具有微槽的微柱的布置,其中一个或多个所述微槽具有第一纵横比,并且一个或多个所述微槽具有不同于所述第一纵横比的第二纵横比;对其上施加有所述掩模的元件表面施加一种或多种蚀刻法,其中所述元件通过纵横比决定蚀刻(ARDE)方法进行蚀刻,以便形成微槽的布置和相邻微槽之间微柱的布置;其中在不同于元件的所述表面的第一层次蚀刻对应于所述第一纵横比的微槽的一个或多个微槽,并且其中在不同于元件的所述表面的第二层次蚀刻对应于所述第二纵横比的微槽的一个或多个微槽,并且所述第二层次不同于所述第一层次;以及(iii)通过移除处理从所述元件移除所述微柱的布置;其中在移除所述微柱后,在所述第一层次形成第一表面部分并在所述第二层次形成第二表面部分,其中所述第二表面部分所处的层次与所述第一表面部分所处的层次不同。 | ||
| 搜索关键词: | 元件 制造 方法 形成 | ||
【主权项】:
一种形成多层次元件的方法,所述元件具有第一层次的第一表面部分和第二层次的第二表面部分,所述第二层次的层次不同于所述第一层次的层次,所述方法包括下列步骤:(i)通过一种或多种光刻法在掩模材料中以预定布置形成至少一种微槽的布置或其间具有微槽的微柱的布置,其中一个或多个所述微槽具有第一纵横比,以及一个或多个所述微槽具有不同于所述第一纵横比的第二纵横比;(ii)对其上施加有所述掩模的元件的表面施加一种或多种蚀刻法,其中所述元件通过纵横比决定蚀刻(ARDE)方法进行蚀刻,以便形成微槽的布置和相邻微槽之间微柱的布置;其中在不同于元件的所述表面的第一层次蚀刻对应于所述第一纵横比的微槽的一个或多个微槽,并且其中在不同于元件的所述表面的第二层次蚀刻对应于所述第二纵横比的微槽的一个或多个微槽,所述第二层次的层次不同于所述第一层次的层次;以及(iii)通过移除处理从所述元件移除所述微柱的布置;其中在移除所述微柱后,在所述第一层次形成第一表面部分,以及在所述第二层次形成第二表面部分,其中所述第二表面部分所处的层次与所述第一表面部分所处的层次不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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