[发明专利]亲水性构件及其制造方法、以及亲水性构件的维护方法有效
| 申请号： | 201580023852.5 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106458726B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 中村正俊;滝浪桃子;滝浪知明;松浦正明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村上开明堂 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;B01J35/02;B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [课题]本发明提供能够提高对疏水剂的耐久性、且得到良好的光催化性能的亲水性构件及其制造方法。提供去除附着于亲水性构件的亲水层表面的、具有正离子性质的疏水剂的维护方法。[解决方法]在基材(12)上成膜光催化剂层(16)。在光催化剂层(16)上成膜中间层(22)。在中间层(22)上成膜等电点大于7的亲水层(18)。与在光催化剂层(16)上直接成膜亲水层(18)的情况相比，中间层(22)是用于使亲水层(18)在相同的成膜条件下低密度进行成膜的层。附着于亲水层(18)的表面的疏水剂可以使用碳酸氢钠有效地去除。 | ||
| 搜索关键词： | 亲水性 构件 及其 制造 方法 以及 维护 | ||
【主权项】：
1.一种亲水性构件，其在基材上配置有光催化剂层、且在该光催化剂层上配置有亲水层，所述亲水层的等电点为大于7的值，与在该光催化剂层上直接成膜该亲水层的情况相比，在所述光催化剂层与所述亲水层之间配置有用于使该亲水层在相同成膜条件下低密度进行成膜的层作为中间层。
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