[发明专利]半导体光学设备和显示设备有效

专利信息
申请号: 201580020186.X 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN106233473B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 渡部义昭;河角孝行 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/30;H01S5/22;H01S5/343;H01S5/50
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 付生辉;张雪梅
地址: 日本国东*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体光学设备设置有:脊状条纹结构部分(20),其通过堆叠第一化合物半导体层(31)、有源层(33)和第二化合物半导体层(32)而形成,并且具有发射光的第一端面(21)和与第一端面(21)相对的第二端面(22);以及电流调节区域(41),其被提供成在第二端面侧相邻于定位在脊状条纹结构部分(20)的两侧上的脊状条纹相邻部分(40)中的至少一个,并且设置为远离脊状条纹结构部分(20)。电流调节区域(41)的底表面位于有源层(33)下面,并且脊状条纹相邻部分(40)的顶表面位于有源层(33)上面,所述顶表面不包括电流调节区域(41)。
搜索关键词: 半导体 光学 设备 显示
【主权项】:
1.一种半导体光学设备,包含:脊状条纹结构部分,其中堆叠第一化合物半导体层、由化合物半导体制成的有源层和第二化合物半导体层,并且具有发射光的第一端面和与所述第一端面相对的第二端面;以及电流调节区域,其被提供成在所述第二端面侧相邻于定位在所述脊状条纹结构部分的两侧的脊状条纹相邻部分中的至少一个,并且远离所述脊状条纹结构部分,其中当从所述第一化合物半导体层的底表面到所述电流调节区域的底表面的距离是H1,从所述第一化合物半导体层的所述底表面到不包括所述电流调节区域的所述脊状条纹相邻部分的顶表面的距离是H2,所述第一化合物半导体层的厚度是T1,所述有源层的厚度是T3,并且所述第二化合物半导体层的厚度是T2时,满足以下表达式:H1≤T1,以及T1+T3≤H2≤T1+T3+T2,其中当从所述电流调节区域的所述第一端面侧的一端到所述第二端面的距离是DS1并且所述脊状条纹结构部分的长度是L0时,满足以下表达式:DS1/L0≤0.5。
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