[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件有效
| 申请号： | 201580019472.4 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106164016B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;粟田英章;绵谷研一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 及其 制造 方法 溅射 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其包含氧化物烧结体，其中所述溅射靶用于形成作为半导体器件的沟道层的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有10‑1Ωcm以上的电阻率，所述氧化物烧结体包含铟、钨和锌，所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分，所述氧化物烧结体具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且18原子％以下，锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60，且所述氧化物烧结体还包含选自六方纤锌矿型晶相和钨酸锌化合物晶相中的至少一种晶相。
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