[发明专利]防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201580018782.4 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106233201A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 高村一夫;小野阳介;种市大树;佐藤泰之;广田俊明 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供防护膜组件框，其具备框主体，所述框主体具有：设置在一端面的槽，所述一端面是厚度方向的一端面并且是支撑防护膜侧的一端面；以及贯通外周面与设置在上述一端面的槽的壁面之间的贯通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 组件 及其 制造 方法 曝光 原版 装置 以及 半导体 | ||
【主权项】：
一种防护膜组件框，其具备框主体，所述框主体具有：设置在一端面的槽，所述一端面是厚度方向的一端面并且是支撑防护膜侧的一端面；以及贯通外周面与设置在所述一端面的槽的壁面之间的贯通孔。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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