[发明专利]集成有非追踪微型复合抛物面聚光器的经过外延剥离处理的GAAS薄膜太阳能电池在审
| 申请号: | 201580018468.6 | 申请日: | 2015-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN106575680A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
| 发明(设计)人: | 李圭相;斯蒂芬·R·弗里斯特 | 申请(专利权)人: | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/18;H01L31/054 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李兰,孙志湧 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 公开了一种制备光伏器件的方法。具体地,所述方法包括制作集成有低成本、热成形、轻巧和广受光角微型CPC的薄膜GaAs太阳能电池。该制造结合被冷焊接至箔衬底并且随后在无粘合剂转印工艺中将其附接至CPC的ND‑ELO薄膜电池。还公开了一种通过所公开的方法制成的改进型光伏器件。所述改进型光伏器件包括集成有非追踪微型复合抛物面聚光器的薄膜太阳能电池,其中,所述塑料复合抛物面聚光器包括以等于所述复合抛物面聚光器的受光角的角度倾斜的两条抛物线。 | ||
| 搜索关键词: | 集成 追踪 微型 复合 抛物面 聚光器 经过 外延 剥离 处理 gaas 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种用于集成薄膜太阳能电池和非追踪微型聚光器的方法,所述方法包括:提供生长衬底;在所述生长衬底上沉积至少一个保护层;在所述至少一个保护层上沉积至少一个牺牲层;在所述牺牲层上沉积光敏电池,其中,所述光敏电池是反转的;通过光刻法形成图案化金属层,所述图案化金属层包括在所述光敏电池上的台面阵列,将所述图案化金属层键合至塑料片的金属化表面,利用将所述光敏电池从所述生长衬底去除的一个或者多个蚀刻步骤,来蚀刻所述牺牲层以形成薄膜太阳能电池;使用至少一种热成形工艺,用塑料材料制造复合抛物面聚光器;以及通过无粘合剂键合步骤,将所述薄膜太阳能电池转移到热成形的所述复合抛物面聚光器上,以形成集成的薄膜太阳能电池和复合抛物面聚光器。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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