[发明专利]陶瓷生片制造工序用剥离膜有效
| 申请号： | 201580017694.2 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN106132685B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 市川慎也;深谷知巳 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B7/00 | 分类号： | B32B7/00;B32B7/02;B32B7/06;B32B9/00;B32B27/00;B32B27/06;B32B27/26;B32B27/28;B32B27/30;B32B27/40;C08G18/61;C08G18/67;C08G18/73 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 张晶,谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)，其具备基材(1)；及剥离剂层(12)，设置于基材的第1面(111)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；活性能量射线固化性成分(A)通过使在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基的含羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及在一个分子中具有至少一个羟基且质均分子量为500～8000的直链状二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以使(a3)的量相对于(a1)、(a2)及(a3)的合计量以质量比计成为0.01～0.10的方式反应而成；剥离剂层(12)的厚度、剥离剂层的面(121)的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)、以及基材的第2面(112)的算术平均粗糙度(Ra2)及最大突起高度(Rp2)在规定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制造 工序 剥离 | ||
【主权项】：
一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备：基材，具有第1面及第2面；及剥离剂层，设置于所述基材的第1面，所述陶瓷生片制造工序用剥离膜的特征在于，所述剥离剂层由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；所述活性能量射线固化性成分(A)通过使(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于所述(甲基)丙烯酸酯(a1)、所述多元异氰酸酯化合物(a2)及所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量以质量比计为0.01～0.10的方式反应而成，其中，所述(甲基)丙烯酸酯(a1)在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基，且含有羟基，所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)在一个分子中具有至少一个羟基，质均分子量为500～8000，且为直链状；所述剥离剂层的厚度为0.3～2μm；所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面的算术平均粗糙度(Ra1)为8nm以下，且最大突起高度(Rp1)为50nm以下；所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为5～40nm，且最大突起高度(Rp2)为60～500nm。
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