[发明专利]研磨用组合物及使用其的研磨方法

摘要

本发明提供能够充分消除SiN膜的高度差的研磨用组合物。本发明为一种研磨用组合物，其用于对在pH小于6的条件下表面带正电的研磨对象物进行研磨的用途，前述研磨用组合物含有水、磨粒、和具有特定的单元结构的阴离子性共聚物，且pH小于6，前述阴离子性共聚物具有酸度不同的2种以上酸性基团。

主权项

一种研磨用组合物，其用于对在pH小于6的条件下表面带正电的研磨对象物进行研磨的用途，所述研磨用组合物含有水、在pH小于6时表面带负电的磨粒、和具有下述通式1或下述通式2所示的单元结构的阴离子性共聚物，且pH小于6，所述阴离子性共聚物具有酸度不同的2种以上酸性基团，所述通式1中，Q1为：氢；选自由甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基组成的组中的碳数1～6的烷基；选自由甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基组成的组中的碳数1～6的烷氧基，Q1’为单键、醚键、酯键、酰胺键、羰基键中的任一种，x为0～10的整数，y为0～10的整数，X为选自磺酸基、羧基、羟基或磷酸基的酸性基团；或者具有至少1种这些酸性基团的碳数1～10的脂肪族烃基；或者具有至少1种所述酸性基团的碳数6～12的芳香族烃基，所述通式2中，Ar为取代或非取代的碳数6～12的芳香族基团，Ar为取代的芳香族基团时，作为取代基，列举出选自由甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基组成的组中的碳数1～6的烷基；选自由甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基组成的组中的碳数1～6的烷氧基，Q2为单键、醚键、酯键、酰胺键、羰基键中的任一种，x为0～10的整数，y为0～10的整数，Y为选自磺酸基、羧基、羟基或磷酸基的酸性基团；或者具有至少1种这些酸性基团的碳数1～10的脂肪族烃基；或者具有至少1种所述酸性基团的碳数6～12的芳香族烃基。