[发明专利]多层并排的高分辨率图案化有效
申请号: | 201580016795.8 | 申请日: | 2015-03-28 |
公开(公告)号: | CN106133935B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 中村敦;柯统辉;P·马利诺夫斯基 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会;富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;G03F7/00;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 蔡悦 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | 提供了一种器件制作方法,该器件包括:在单个基板上的第一位置处的第一图案化器件层(31)和在第二位置处的第二图案化器件层(32)。该方法包括:在基板上沉积第一夹层(21);图案化第一夹层(21),由此去除在第一位置处的第一夹层;沉积第一器件层(31);沉积第二夹层(22);图案化第二夹层和下面的层,由此去除在第二位置处的第二夹层和下面的层;沉积第二器件层(32);以及随后图案化第一器件层和第二器件层以形成在第一位置处的第一图案化器件层和在第二位置处的第二图案化器件层。 | ||
搜索关键词: | 多层 并排 高分辨率 图案 | ||
【主权项】:
1.一种器件制作方法,所述器件包括:在基板(10)上的第一位置处的第一图案化器件层(311)和在第二位置处的第二图案化器件层(321),所述方法包括:在所述基板(10)上沉积第一夹层(21);通过光刻图案化所述第一夹层(21),由此去除在所述第一位置处的所述第一夹层;沉积第一器件层(31);沉积第二夹层(22);通过光刻图案化所述第二夹层(22)和下面的层,由此去除在所述第二位置处的所述第二夹层和所述下面的层,所述下面的层包括至少所述第一器件层和所述第一夹层;沉积第二器件层(32);以及随后通过光刻图案化所述第一器件层(31)和所述第二器件层(32)以形成在所述第一位置处的所述第一图案化器件层(311)和在所述第二位置处的所述第二图案化器件层(321),其中通过光刻图案化所述第一器件层(31)和所述第二器件层(32)的步骤包括:在水中或者在酒精中溶解所述第一夹层(21)和所述第二夹层(22)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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