[发明专利]切割片用基材膜、具备该基材膜的切割片及该基材膜的制造方法在审
| 申请号： | 201580016730.3 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106133879A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 中村润一;宫武祐介;田矢直纪;近藤健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B7/02;B32B27/32;C09J7/02;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的切割片的基材膜(2)具备：切削片抑制层(A)；以及扩展层(B)，其积层于所述切削片抑制层(A)的一主表面上，扩展层(B)具有多个树脂类单位层的积层结构，在多个树脂类层状体中配置于最靠近所述切削片抑制层(A)的位置的树脂类层状体(B1)以直链状聚乙烯为主树脂，在多个树脂类层状体的中的树脂类层状体(B1)以外的至少一个即树脂类层状体(B2)以乙烯‑(甲基)丙烯酸类共聚物为主树脂，所述切削片抑制层(A)含有：具有芳香族类环及脂肪族类环中的至少一种的热塑性树脂即含环树脂(a1)；以及该含环树脂(a1)以外的烯烃类热塑性树脂即非环式烯烃类树脂(a2)。这种切割片的基材膜(2)的扩展性及复原性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 基材 具备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基材膜，其为切割片的基材膜，其特征在于，所述基材膜具备：切削片抑制层(A)；以及扩展层(B)，其积层于所述切削片抑制层(A)的一主表面上，所述扩展层(B)具备至少1层树脂类单位层，所述至少1层树脂类单位层中配置于最靠近所述切削片抑制层(A)的位置的树脂类单位层(B1)含有直链状聚乙烯、聚丙烯及热塑性弹性体，所述切削片抑制层(A)含有：具有芳香族类环及脂肪族类环中的至少一种的热塑性树脂即含环树脂(a1)；以及该含环树脂(a1)以外的烯烃类热塑性树脂即非环式烯烃类树脂(a2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
