[发明专利]处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法有效
| 申请号： | 201580016349.7 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106165079B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杰佛瑞·E·卡兰波特;罗杰·B·费许 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法。因为硅在红外线光谱带中具有非常低的放射率，所以会在工件的至少一部分上配置涂布层。涂布层可为石墨或任何其他可易于应用的材料，且涂布层在红外线光谱中在温度范围内具有相对恒定的放射率。在一实施例中，将石墨涂布层涂布至工件的一部分，使得工件的温度可通过观察涂布层的温度而被测量。此技术可用以校准处理室、验证处理室内的操作条件或发展制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 校准 验证 工件 工艺 高温 方法 | ||
【主权项】：
一种处理系统，包括：平台；校准工件，配置在所述平台上；红外线摄影机，使用在红外线光谱中的波长范围去测定所述校准工件的温度；以及涂布层，配置在所述校准工件的上表面的一部分上，所述涂布层在所述波长范围在温度范围内具有几乎恒定的放射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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