[发明专利]掺杂Ce的PZT系压电膜在审
| 申请号： | 201580015884.0 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106133933A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C01G25/00;H01L41/318 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜由以通式：PbzCexZryTi1‑yO3表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成。并且，上述通式中的x、y及z分别满足0.005≤x≤0.05、0.40≤y≤0.55及0.95≤z≤1.15。而且，上述掺杂Ce的PZT系压电膜的极化量的磁滞优选由其中心向负侧偏移4kV/cm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 ce pzt 压电 | ||
【主权项】：
一种掺杂Ce的PZT系压电膜，其由以通式：PbzCexZryTi1‑yO3表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成，所述通式中的x、y及z分别满足0.005≤x≤0.05、0.40≤y≤0.55及0.95≤z≤1.15。
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