[发明专利]研磨垫及玻璃基底研磨方法在审
| 申请号: | 201580014499.4 | 申请日: | 2015-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN106104766A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
| 发明(设计)人: | 中村阳子 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 王静;丁业平 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 问题:为了提供当应用于研磨玻璃基底的表面时能够延长研磨垫的寿命并且可确保适合于研磨玻璃基底表面的研磨能力的研磨垫和使用研磨垫的研磨方法。解决方法:一种用于研磨玻璃基底的表面的研磨垫,该研磨垫包括基体材料层和设置在基体材料层的一侧上的磨料层,该磨料层包括彼此分开布置在基体材料层上的多个柱形研磨部分,该研磨部分由包括了抛光磨料颗粒、填料和粘结剂树脂的磨料制成,该抛光磨料颗粒包括磨料颗粒和玻璃基质,并且该填料包括当表面被研磨时破裂或脱落从而在研磨部分的顶面中形成近似球冠形的凹陷部的第一填料。 | ||
| 搜索关键词: | 研磨 玻璃 基底 方法 | ||
【主权项】:
一种用于研磨玻璃基底的表面的研磨垫,所述研磨垫包括:基体材料层;以及设置在所述基体材料层的一侧上的磨料层,所述磨料层包括彼此分开布置在所述基体材料层上的多个柱形研磨部分,所述研磨部分由磨料制成,所述磨料包括抛光磨料颗粒、填料和粘结剂树脂,所述抛光磨料颗粒包括磨料颗粒和玻璃基质,以及所述填料包括第一填料,当所述表面被研磨时所述第一填料破裂或脱落,从而在所述研磨部分的顶面形成大体上球冠形凹陷部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





