[发明专利]化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法、及化合物或树脂的纯化方法

摘要

本发明的化合物由特定的结构式表示。由于具有所述特定的结构式相关的结构，因此，本发明的化合物可以应用湿法工艺，耐热性和耐蚀刻性优异。另外，由于本发明的化合物具有特定结构，因此耐热性高、碳浓度较高、氧浓度较低、溶剂溶解性也高。因此，通过使用本发明的化合物，能够抑制高温烘焙时膜的劣化，能够形成对氧等离子体蚀刻等的耐蚀刻性也优异的下层膜。进而，由于与抗蚀剂层的密合性也优异，因此能够形成优异的抗蚀图案。

主权项

一种化合物，其由下述式(1)表示，式(1)中，R¹为碳数1～30的2n价的基团，R²～R⁵各自独立地为碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、硫醇基或羟基，此处，R⁴的至少1个和/或R⁵的至少1个为羟基和/或硫醇基，m²和m³各自独立地为0～8的整数，m⁴和m⁵各自独立地为0～9的整数，此处，m⁴和m⁵的至少1个为1～9的整数，n为1～4的整数，p²～p⁵各自独立地为0～2的整数。