[发明专利]电化学电镀方法在审
| 申请号： | 201580013199.4 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106104757A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 约翰·W·莱姆;伊斯梅尔·埃迈什;罗伊·沙维夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种电化学方法，用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上，所述方法包含以下步骤：把所述基板放入以与含钴或镍盐的电化学电镀浴接触，且所述电镀浴的pH为4.0至9.5；及引导电流通过所述浴，以减少所述电镀浴中的钴或镍离子，和沉积钴膜或镍膜至所述种晶层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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