[发明专利]霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统

摘要

本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。

主权项

一种等离子体源，所述等离子体源包含：第一板件，所述第一板件具有外边缘和内边缘；第二板件，所述第二板件平行于所述第一板件，其中所述第二板件具有外边缘及内边缘；外壁，所述外壁安置于所述第一板件的外边缘与所述第二板件的外边缘之间；电极，所述电极安置于所述第一板件的内边缘与所述第二板件的内边缘之间；第一多个磁体，所述第一多个磁体安置于所述第一板件上；及第二多个磁体，所述第二多个磁体安置于所述第二板件上。