[发明专利]脱模膜、以及密封体的制造方法有效
| 申请号： | 201580012256.7 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106068550B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 笠井涉;铃木政己 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C33/68;B29C45/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨;刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在将具备基板、半导体元件、连接端子的结构体配置于需要大变形的模具内、用固化性树脂密封来形成厚度3mm以上的树脂密封部的密封体的制造方法中具有优良的密封体从模具的脱模性、和优良的对需要大变形的模具的顺应性的脱模膜。所述脱模膜具有在所述树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1层、和第2层，所述第1层的厚度为5～30μm且由选自氟树脂和熔点在200℃以上的聚烯烃中的至少一种构成，所述第2层的厚度为38～100μm，在180℃时的拉伸储能模量(MPa)和厚度(μm)之积在18000(MPa·μm)以下、且在180℃时的拉伸断裂应力(MPa)与厚度(μm)之积在2000(MPa·μm)以上。 | ||
| 搜索关键词： | 脱模 以及 密封 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.脱模膜，它是在将具备基板、半导体元件、连接端子的结构体配置于具有至少一方的深度在3mm以上的上模具和下模具的模具内、用固化性树脂密封来形成厚度3mm以上的树脂密封部的密封体的制造方法中，配置于所述上模具和下模具中深度在3mm以上的那一方的与所述固化性树脂接触的面的脱模膜，其特征在于，具有在所述树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1层、和第2层，所述第1层的厚度为5～30μm且由选自氟树脂和熔点在200℃以上的聚烯烃中的至少一种构成，所述第2层的厚度为38～100μm，在180℃时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μm)之积在18000(MPa·μm)以下、且在180℃时的拉伸断裂应力(MPa)与厚度(μm)之积在2000(MPa·μm)以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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