[发明专利]高性能标准单元

摘要

提供了一种晶体管单元，其包括定义在基板中的连续氧化物限定(OD)区；在第一虚设栅极(425)与第二虚设栅极(430)之间的晶体管的栅极(450)，其中该晶体管的源极被定义在该OD区的处在该栅极与第一虚设栅极之间的第一部分中，并且其中该晶体管的漏极被定义在该OD区的处在该栅极与第二虚设栅极的第一侧之间的第二部分中；第一栅极定向本地互连(470)和第一扩散定向本地互连(440)将该OD区的毗邻于第二虚设栅极的第二对向侧的第三部分以及第二虚设栅极耦合至源电压。

主权项

一种单元，包括：定义在基板中的连续氧化物限定(OD)区；晶体管的处在第一虚设栅极与第二虚设栅极之间的栅极，其中所述晶体管的源极被定义所述OD区的处在所述栅极与所述第一虚设栅极之间的第一部分中，并且其中所述晶体管的漏极被定义在所述OD区的处在所述栅极与第二虚设栅极的第一侧之间的第二部分中；耦合至所述OD区的毗邻于所述第二虚设栅极的第二对向侧的第三部分的第一栅极定向本地互连；以及配置成将所述第一栅极定向本地互连耦合至所述第二虚设栅极的第一扩散定向本地互连。