[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体装置构成为：具有沿着n型漂移层(1)的一个主面选择性地形成，且电阻比漂移层(1)低的p型区域(4)，在从作为p型区域(4)的边界的pn结(6)的面起算厚度为t的漂移层(1)内，将从设有空位‑氧复合缺陷区域(11)的漂移层(1)的半导体基板的背面起在厚度方向的深度记为R，将漂移层(1)的电阻率记为ρ，由pn结(6)的反向偏置电压V表示的从pn结(6)扩展到漂移层(1)内的耗尽层(15)的宽度W由W＝0.54×√(ρ×V)表示时，空位‑氧复合缺陷区域(11)被设置于由0＜R≤t‑W表示的深度。由此，能够廉价且以简单的工艺兼顾开关损耗的降低与软恢复特性。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板的第一主面侧；第二导电型阳极层，其沿着所述漂移层选择性地形成，且电阻比所述漂移层低；第一导电型的阴极层，其形成于所述半导体基板的第二主面侧的表面层，且与所述漂移层接触；以及空位‑氧复合缺陷区域，其由空位与氧的复合缺陷形成，所述空位‑氧复合缺陷区域从所述阴极层与所述漂移层之间的边界面起朝向所述半导体基板的第一主面的方向的深度为R，将所述半导体基板的电阻率记为ρ，将从所述阳极层与所述漂移层的pn结到所述阴极层的厚度记为t，以施加于所述pn结的反向偏置电压V表示的从所述pn结扩展到所述漂移层内的耗尽层的宽度W为0.54×√(ρ×V)，所述空位‑氧复合缺陷区域被设置于由0＜R≤t‑W表示的深度。