[发明专利]包括高密度互连和重分布层的集成器件在审
| 申请号： | 201580011603.4 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN106068558A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | D·W·金;H·B·蔚;J·S·李;S·顾 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成器件(例如，集成封装)包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯(206)、以及第一管芯与基底部分之间的底部填料(222)。基底部分包括介电层(202)以及一组重分布金属层(230‑260)。在一些实现中，集成器件进一步包括封装第一管芯的封装材料(220)。在一些实现中，集成器件进一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯(208)。在一些实现中，集成器件进一步包括基底部分上的一组互连(280)，该组互连耦合第一管芯和第二管芯。在一些实现中，第一管芯包括第一组互连柱(216)，并且第二管芯包括第二组互连柱(218)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 高密度 互连 分布 集成 器件 | ||
【主权项】：
一种集成器件，包括：用于所述集成器件的基底部分，所述基底部分包括：介电层；以及一组重分布金属层；耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及所述第一管芯与所述基底部分之间的底部填料。
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