[发明专利]两晶体管SRAM半导体结构及制造方法

摘要

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。

主权项

一种半导体结构，用于交叉耦合的PNP和NPN双极型晶体管对，所述半导体结构包括：第一导电类型半导体衬底，所述第一导电类型半导体衬底具有上表面；隔离区，所述隔离区从所述上表面延伸到所述衬底中，并限定由第一导电类型半导体材料构成的凹室，所述凹室具有上表面，并延伸到位于所述凹室的底部处的相反导电类型的埋层；相反导电类型的浅阱区，所述相反导电类型的浅阱区在所述凹室的第一部分上方从所述上表面延伸到所述凹室中，但不延伸到所述埋层；至少部分地布置在所述第一部分上方的第一场效应晶体管栅极和第二场效应晶体管栅极、以及至少部分地布置在所述凹室的第二部分上方的第三场效应晶体管栅极，所述凹室的第二部分与所述凹室的第一部分相邻；第一导电类型的第一区，所述第一导电类型的第一区布置在所述第一栅极的第一侧上；第一导电类型的第二区，所述第一导电类型的第二区布置在所述第一栅极的相对侧上并与所述第二栅极相邻；相反导电类型的第三区，所述相反导电类型的第三区布置在所述第三栅极的第一侧上并还与所述第二栅极相邻；相反导电类型的第四区，所述相反导电类型的第四区布置在所述第三栅极的相对侧上，并且进一步包括：到所述第一区的第一电连接；到所述第二区的第二电连接；到所述第三区的第三电连接；以及到所述第四区的第四电连接。