[发明专利]用于形成含锆膜的前驱体组合物以及用其形成含锆膜的方法有效
| 申请号： | 201580010845.1 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106062242B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李根守;韩廷旼 | 申请（专利权）人： | 株式会社Eugene科技材料 |
| 主分类号： | C23C16/06 | 分类号： | C23C16/06;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了用于形成含锆膜的前驱体组合物和通过使用其形成含锆膜的方法，其中，所述组合物的特征在于，以1至3摩尔的由特定的化学式表示的脂环族不饱和化合物或由特定的化学式表示的芳香族化合物和1至3摩尔的由特定的化学式表示的茂锆(IV)系化合物的比例混合而成。构成所述组合物的上述两种化合物互不反应，在液态下以彼此稳定且均匀混合的状态存在，因此，所述组合物表现得就像单个化合物一样并呈现出高蒸汽压力。通过使用本发明的所述组合物，能够方便又经济地得到含锆膜，比如高质量的氧化锆。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 含锆膜 前驱 组合 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成含锆膜的前驱体组合物，其中，所述前驱体组合物以1至3摩尔的环庚三烯与1至3摩尔的三(二甲氨基)茂锆(IV)(CpZr(NMe2)3)的比例混合而成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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