[发明专利]SiC籽晶的加工变质层的除去方法、SiC籽晶和SiC基板的制造方法有效
| 申请号： | 201580009773.9 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106029960B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 矢吹纪人;鸟见聪;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B19/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | sic 籽晶 加工 变质 除去 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SiC籽晶的加工变质层的除去方法，其为用于除去作为亚稳定溶剂外延法的籽晶使用的SiC单晶的因切断加工产生的加工变质层的方法，其特征在于：包括通过将SiC籽晶的表面在Si气氛下进行加热而进行蚀刻的蚀刻工序，所述SiC籽晶为板状，在所述蚀刻工序中，所述SiC籽晶的与厚度方向平行的面被蚀刻10μm以上。
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