[发明专利]一种在基材的基本平面延伸的表面上溅射沉积膜的方法在审
| 申请号： | 201580009723.0 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106414792A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | O·拉特顿德;H·希斯彻 | 申请（专利权）人： | 伊瓦泰克先进科技股份公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01J37/34;C23C14/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐晶,万雪松 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基材的基本平面延伸的表面上溅射沉积膜，所述表面在其中具有凹陷，即沟槽、洞、孔、通道、沟中的至少一种。为了一方面沿着所述基材的所述表面建立膜的均匀厚度分布和，另一方面，在凹陷内的厚膜沉积，溅射沉积首先在靶标的溅射表面与所述基材的所述表面之间的大距离进行，然后在所述表面之间的减小的距离进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基材 基本 平面 延伸 表面上 溅射 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种在基材的基本平面延伸的表面上溅射沉积膜的方法，所述表面具有凹陷，即沟槽、洞、孔、通道、沟中的至少一种，包括：将所述基材的所述表面与溅射源的靶标的基本平面的溅射表面平行、远离且相对放置，通过所述溅射源第一溅射涂覆所述基材的所述表面，从而在所述靶标的所述溅射表面和所述基材的所述表面之间建立第一距离，且随后通过所述溅射源第二溅射涂覆所述基材的所述表面，从而在所述靶标的所述溅射表面和所述基材的所述表面之间建立第二距离，并选择第一距离大于第二距离。
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