[发明专利]含聚酰亚胺前驱体和/或聚酰亚胺的组合物，以及聚酰亚胺膜有效
| 申请号： | 201580009667.0 | 申请日： | 2015-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106029743B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 山口美香;杉山二郎;野口浩;古贺智子;石窪章;加藤刚司 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08L79/08 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 崔巍 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐热性、透过率、低线膨胀系数及低滞后优异的聚酰亚胺材料。本发明所涉及的聚酰亚胺膜，其是包含四羧酸残基与二胺残基的聚酰亚胺膜，其特征在于，所述四羧酸残基与二胺残基中的至少任一者具有弯曲部位，线膨胀系数为60ppm/K以下，且滞后为200nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 前驱 组合 以及 | ||
【主权项】：
1.一种聚酰亚胺膜，其特征在于，其是包含四羧酸残基与二胺残基的聚酰亚胺膜，所述四羧酸残基与二胺残基中的至少任一者具有弯曲部位，所述聚酰亚胺膜的线膨胀系数为60ppm/K以下，且滞后为200nm以下，所述聚酰亚胺膜含有具有选自III群中的1种以上的结构部分与选自IV群中的1种以上的结构部分的四羧酸残基作为四羧酸残基，以及含有具有式(11)所表示的结构部分的二胺残基作为二胺残基，III群：表示下述式(7)及式(8)，![]()
式(7)中，X1表示直接键合的键、亚烷基、羰基、醚键或磺酰基，![]()
IV群：表示下述式(9)及式(10)，![]()
式(9)中，n’及m’各自独立地表示0或1，R5及R6各自独立地表示烷基、烯基或芳香环，R5及R6可相同也可不同，或者也可形成环，![]()
式(10)中，Y’表示直接键合的键或2价有机基团，![]()
式(11)中，R7及R8各自独立地表示烷基、烷氧基、氨基或羟基。
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