[发明专利]具有脱耦结构的传感器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 201580009172.8 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106029554B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | J·克拉森;T·克拉默;D·C·迈泽尔;H·本泽尔;J·弗莱;C·舍林 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 传感器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种传感器单元(1)，其具有第一半导体器件(10)和第二半导体器件(20)，其中，所述第一半导体器件(10)具有第一衬底(11)和传感器结构(12)，其中，所述第二半导体器件(20)具有第二衬底(21)，其中，所述第一和第二半导体器件(10，20)通过晶圆连接部(40)彼此连接，其中，所述传感器单元(1)具有脱耦结构(50)，该脱耦结构(50)配置为，使得所述传感器结构(12)热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件(20)脱耦，其特征在于，所述脱耦结构包括至少一个膜片元件(55)，所述至少一个膜片元件(55)覆盖所述第一半导体器件(10)的层结构中的空洞(56)并且构造在所述晶圆连接部(40)上方的区域中。
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