[发明专利]恒定质量流的多层次冷却剂路径的静电夹盘有效
申请号: | 201580007872.3 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN106062940B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 威廉·戴维斯·李 | 申请(专利权)人: | 艾克塞利斯科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;刘新宇 |
地址: | 美国马萨诸*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种工件支撑件,其具有容器,该容器具有顶部内壁及底部内壁。在所述顶部内壁与底部内壁之间界定内部腔室,其中支撑表面配置成支撑工件。板件定位于所述内部腔室内,该板件将所述内部腔室划分成顶部腔室及底部腔室。所述顶部与底部腔室绕所述板件的外围流体耦接。界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中的第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中的第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积。第一端口及第二端口将所述顶部腔室及底部腔室流体耦接至各自的第一流体通道及第二流体通道。 | ||
搜索关键词: | 恒定 质量 多层次 冷却剂 路径 静电 | ||
【主权项】:
1.一种工件支撑件,其包括:/n容器,其包括顶部内壁及底部内壁,其中所述顶部内壁部署成与所述底部内壁相对,其中在所述顶部内壁与所述底部内壁之间界定内部腔室,其中所述容器进一步包括支撑表面,该支撑表面配置成支撑其上的工件;/n板件,其定位于内部腔室内,其中所述板件将所述内部腔室大体上划分成界定于所述板件与所述顶部内壁之间的顶部腔室以及界定于所述板件与所述底部内壁之间的底部腔室,并且所述顶部腔室与所述底部腔室绕所述板件的外围彼此流体耦接;/n第一锥体,其界定于所述顶部内壁及所述板件的顶部部分中的一个或多个中,其中所述第一锥体跨所述顶部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积,以及其中所述顶部腔室的高度从所述内部腔室的中心径向向外减小;/n第二锥体,其界定于所述底部内壁及所述板件的底部部分中的一个或多个中,其中所述第二锥体跨所述底部腔室的径向横截面提供基本上恒定的容积,以及其中所述底部腔室的高度从所述内部腔室的中心径向向外减小;/n第一端口,其界定于所述板件的中心部分中,其中所述第一端口将所述顶部腔室流体耦接至第一流体通道;以及/n第二端口,其界定于所述容器的底部部分中,其中所述第二端口将所述底部腔室流体耦接至第二流体通道,/n其中从所述第一端口和所述第二端口中的一个端口到所述第一端口和所述第二端口中的另一个端口在所述内部腔室内界定流体路径,且其中所述第一锥体及所述第二锥体大体上提供流过所述内部腔室的恒定质量流。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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