[发明专利]用于生产多晶硅的方法在审
| 申请号： | 201580007116.0 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105980304A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 哈拉尔德·赫特莱因;弗里德里希·波普 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 沈敬亭;徐丽华 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产多晶硅的方法。将包括含硅组分和氢气的反应气体引入到反应器中，所述反应器包括由硅制成的至少一个支撑体，所述支撑体通过直接通电进行加热。使含硅组分分解且使多晶硅沉积在至少一个支撑体上。本发明的特征在于，由硅制成的至少一个支撑体具有氧化物层，在至少一个支撑体上开始沉积多晶硅之前去除所述氧化物层，并且将至少一个支撑体加热到1100‑1200℃的温度并在0.1‑5巴的压力下暴露于含有氢气的气氛，其中将含有氢气的吹扫气体引入到反应器中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产多晶硅的方法，其中将包括含硅组分和氢气的反应气体引入到反应器中，所述反应器包括由硅制成的至少一个支撑体，所述支撑体通过直接通电进行加热，使所述含硅组分分解且使多晶硅沉积在所述至少一个支撑体上，其特征在于，由硅制成的所述至少一个支撑体具有氧化物层，在所述至少一个支撑体上开始多晶硅的沉积之前，通过将所述至少一个支撑体加热到高达1100‑1200℃的温度并通过将包含氢气的吹扫气体进料至所述反应器而使所述至少一个支撑体在0.1至5巴表压的系统压力下暴露于包含氢气的气氛来去除所述氧化物层。
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