[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201580006895.2 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105940482A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 金倞民;李明振;李龙炫;崔宰旭 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理装置，包括：工艺腔室；多个气体供给管道，用于提供气体或等离子体活性物质至工艺腔室内部；远程等离子体产生单元，其连接到多个气体供给管道当中的一个气体供给管道；和打开/关闭阀门，将其提供至远程等离子体产生单元和工艺腔室之间的该一个气体供给管道，用于选择性切断该一个气体供给管道。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：处理腔室；向工艺腔室提供气体或等离子体活性物质的多个气体供给管道；连接到多个气体供给管道之一的远程等离子体发生器；和切换阀门，在远程等离子体发生器和工艺腔室之间、设在一个气体供给管道处，以选择性切断所述一个气体供给管道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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