[发明专利]高速EPI系统和腔室构思在审
| 申请号： | 201580006157.8 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105940481A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 布莱恩·H·伯罗斯;兰斯·A·斯卡德;卡什夫·马克苏德;罗杰·N·安德森;桑姆特·达塔特拉亚·阿查利雅 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述的实施方式一般涉及一种批处理腔室。批处理腔室包括界定处理区域的盖、腔室壁和底部。在处理区域中安置盒，所述盒包括用于支撑基板的基座堆叠。将盒的边缘耦接到多个轴，并将轴耦接到转子。在操作期间，转子旋转盒以改善沉积均匀性。在腔室壁上安置加热元件，并穿过腔室壁上的加热元件安置多个气体入口。每一气体入口基本上垂直于腔室壁。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 epi 系统 构思 | ||
【主权项】：
一种旋转批处理腔室，所述旋转批处理腔室包含：腔室壁；底部；盖，其中所述腔室壁、所述底部和所述盖界定处理区域；盒，所述盒经配置以固持所述处理区域中安置的多个基板；多个轴，所述多个轴被耦接到所述盒的边缘；转子，所述转子被耦接到所述多个轴；定子，所述定子被耦接到所述转子；和第一加热构件，所述第一加热构件邻近于所述腔室壁安置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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