[发明专利]用于MRAM装置的磁性隧道结结构在审
| 申请号： | 201580005078.5 | 申请日： | 2015-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN105917480A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮纳尔巴斯;鲍尔泰克·考尔达斯 | 申请（专利权）人： | 斯平转换技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示具有磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器装置，所述磁性隧道结堆叠具有磁性隧道结结构中的自由层的显著经改进性能。所述存储器装置包含反铁磁结构及安置于所述反铁磁结构上的磁性隧道结结构。所述磁性隧道结结构包含参考层及自由层，其中势垒层夹在所述参考层与所述自由层之间。此外，包含氮化钽膜的帽盖层安置于所述磁性隧道结结构的所述自由层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mram 装置 磁性 隧道 结构 | ||
【主权项】：
一种磁性装置，其包括：反铁磁结构，其包含参考层；势垒层，其安置于所述参考层上；自由层，其安置于所述势垒层上；及氮化钽帽盖层，其安置于所述自由层上。
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