[发明专利]Sb‑Te基合金烧结体溅射靶有效
| 申请号： | 201580004783.3 | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN105917021B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 小井土由将 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/04;C22C12/00;C22C28/00;C22C32/00;B22F1/00;B22F3/14;B22F9/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下。本发明的目的在于，实现Sb‑Te基合金烧结体溅射靶组织的改善，防止溅射时电弧放电的发生，并且使溅射膜的热稳定性提高。 | ||
| 搜索关键词： | sb te 合金 烧结 溅射 | ||
【主权项】：
一种Sb‑Te基合金烧结体溅射靶，其为Sb含量为10～60原子％、Te含量为20～60原子％、剩余部分包含选自Ag、In、Ge中的一种以上元素和不可避免的杂质的溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为0.5μm以下，靶中的氧的平均含量为1500～2500重量ppm。
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