[发明专利]作为除草剂的嘧啶氧基苯衍生物

摘要

本发明公开了式(1)的化合物，包括其所有立体异构体、N‑氧化物和盐，其中Q、Z、R²、R³和m定义于公开中。本发明还公开了包含式(1)化合物的组合物和用于控制不期望植被的方法，所述方法包括使所述不期望植被或其环境与有效量的本发明的化合物或组合物接触。

主权项

一种选自式1的化合物、其N‑氧化物和盐，Q为5‑或6‑元芳族杂环，所述环通过碳原子与式1的其余部分结合，并任选地被1至4个R¹取代；Z为O或S；每个R¹独立地为卤素、氰基、硝基、SF₅、CHO、C(＝O)NH₂、C(＝S)NH₂、SO₂NH₂、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₄烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄卤代烷基、C₂‑C₄卤代烯基、C₂‑C₄卤代炔基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₄–C₈烷基环烷基、C₄–C₈环烷基烷基、C₂–C₆烷基羰基、C₂–C₆卤代烷基羰基、C₂–C₆烷氧基羰基、C₃‑C₇环烷基羰基、C₂–C₈烷基氨基羰基、C₃–C₁₀二烷基氨基羰基、C₁‑C₄烷氧基、C₃‑C₄烯氧基、C₃‑C₄炔氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、C₃‑C₄卤代烯氧基、C₃‑C₄卤代炔氧基、C₃–C₆环烷氧基、C₃–C₆卤代环烷氧基、C₄–C₈环烷基烷氧基、C₂‑C₆烷氧基烷基、C₂‑C₆卤代烷氧基烷基、C₂‑C₆烷氧基卤代烷基、C₂–C₆烷氧基烷氧基、C₂‑C₄烷基羰氧基、C₂‑C₆氰基烷基、C₂‑C₆氰基烷氧基、C₁‑C₄羟烷基、C₂‑C₄烷基硫基烷基、SO_nR^1A、Si(CH₃)₃或B(‑OC(R^1B)₂C(R^1B)₂O‑)；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R^1C；或者5‑或6‑元杂芳环，所述5‑或6‑元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，当所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R^1C和当所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R^1D；R²为卤素、氰基、硝基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₆烯基、C₂‑C₆炔基、SO_nR^2A、C₁‑C₄卤代烷基或C₃‑C₆环烷基；每个R³独立地为卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH₂、C(＝S)NH₂、SO₂NH₂、C₁‑C₄烷基、C₂‑C₄烯基、C₂‑C₄炔基、C₁‑C₄卤代烷基、C₂‑C₄卤代烯基、C₂‑C₄卤代炔基、C₃‑C₆环烷基、C₃‑C₆卤代环烷基、C₄–C₈烷基环烷基、C₄–C₈环烷基烷基、C₂–C₆烷基羰基、C₂–C₆卤代烷基羰基、C₂–C₆烷氧基羰基、C₃‑C₇环烷基羰基、C₁‑C₄烷氧基、C₃‑C₄烯氧基、C₃‑C₄炔氧基、C₁‑C₄卤代烷氧基、C₃‑C₄卤代烯氧基、C₃‑C₄卤代炔氧基、C₃–C₆环烷氧基、C₃–C₆卤代环烷氧基、C₄–C₈环烷基烷氧基、C₂‑C₆烷氧基烷基、C₂‑C₆卤代烷氧基烷基、C₂‑C₆烷氧基卤代烷基、C₂–C₆烷氧基烷氧基、C₂‑C₄烷基羰氧基、C₂‑C₆氰基烷基、C₂‑C₆氰基烷氧基、C₂‑C₄烷基硫基烷基、Si(CH₃)₃、C≡CSi(CH₃)₃、C(＝O)N(R^3A)(R^3B)、C(＝NOR^3C)H、C(＝NR^3D)H、SO_nR^3E；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R^3F；或者5‑或6‑元杂芳环，所述5‑或6‑元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，当所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R^3F和当所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R^3G；或者嘧啶氧基；m为0、1、2或3；每个n独立地为0、1或2；每个R^1A、R^2A和R^3E独立地为C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄卤代烷基、C₁‑C₄烷基氨基或C₂‑C₆二烷基氨基；每个R^1B独立地为H或C₁‑C₄烷基；每个R^1C独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁–C₆烷氧基或C₁–C₆卤代烷氧基；每个R^1D独立地为氰基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁–C₆烷氧基或C₂‑C₆烷基羰基；每个R^3A独立地为C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄卤代烷基；每个R^3B独立地为H、C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄卤代烷基；每个R^3C独立地为H或C₁‑C₄烷基；每个R^3D独立地为H、氨基、C₁‑C₄烷基或C₁‑C₄烷基氨基；每个R^3F独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁–C₆烷氧基或C₁–C₆卤代烷氧基；并且每个R^3G独立地为氰基、C₁‑C₆烷基、C₁‑C₆卤代烷基、C₁–C₆烷氧基或C₂‑C₆烷基羰基。