[发明专利]动态随机存取存储器(DRAM)反向通道通信系统和方法有效
| 申请号： | 201580004085.3 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105917312B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | D·I·韦斯特;M·J·布鲁诺利;D·T·全;V·斯里尼瓦斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了动态随机存取存储器(DRAM)反向通道通信系统和方法。在一方面，反向通道通信系统允许DRAM向片上系统(SoC)、应用处理器(AP)或其他存储器控制器传达纠错信息和刷新警报信息。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 dram 反向 通道 通信 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器系统，包括：包括应用处理器AP引脚的AP；包括引脚的至少两个动态随机存取存储器DRAM；以及将所述AP引脚耦合到所述至少两个DRAM的所述引脚的反向通道线；其中，所述AP配置成通过所述反向通道线从所述至少两个DRAM接收纠错信息，并且其中所述反向通道线配置成容适时分复用协议以及在突发读取操作期间被动态地禁用，所述时分复用协议具有所述至少两个DRAM之间的主从关系，以在共享所述反向通道线的所述至少两个DRAM之间进行仲裁。
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