[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法有效
| 申请号： | 201580003982.2 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105900220B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;镰田洋之 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理，所述三者的相关关系为下述关系式所表示的关系，T≥37.5[Oi]+1.74Lvoid+890在此，T：热处理温度(℃)；[Oi]：进行热处理前的单晶硅晶圆中的氧浓度(ppma‑JEIDA)；Lvoid：进行热处理前的单晶硅晶圆中的Void尺寸(nm)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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