[发明专利]用于暂时性晶片粘结方法的环状烯烃聚合物组合物和聚硅氧烷剥离层有效
申请号: | 201580003864.1 | 申请日: | 2015-01-06 |
公开(公告)号: | CN106068551B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 白东顺;徐固;D·布鲁门夏因 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆蔚;樊云飞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明广泛地涉及独立或一起使用的环状烯烃聚合物粘结组合物和剥离组合物,其能在微电子制造过程中,特别是在全晶片机械脱粘结处理过程中处理薄晶片。所述剥离组合物包含由掺混在极性溶剂中的硅氧烷聚合物和共聚物制备的组合物,所述组合物在室温下稳定超过1个月。所述环状烯烃聚合物粘结组合物提供高热稳定性,可与完全处理的载体晶片粘结,可在高温热处理后机械或激光脱粘结,并能容易地用工业可接受的溶剂去除。根据本发明粘结的晶片证明了与其它市售粘结材料相比,具有较小的整体后研磨堆叠体总厚度变化,并能经受200℃的PECVD处理。 | ||
搜索关键词: | 用于 暂时性 晶片 粘结 方法 环状 烯烃 聚合物 组合 聚硅氧烷 剥离 | ||
【主权项】:
1.一种暂时性粘结方法,其包括:提供堆叠体,该堆叠体包括:/n具有背表面和前表面的第一基材;/n与所述前表面相邻的粘结层,所述粘结层由组合物形成,所述组合物包含在溶剂体系中溶解或分散的环状烯烃聚合物,所述的环状烯烃聚合物由单一单体形成;以及/n第二基材,其具有第一表面;以及/n不使所述堆叠体经历加热而分离所述第一基材和第二基材;/n在至少部分分离之前,进行如下步骤(i)至(vi)中至少一个:/n(i)在溶剂中溶解所述粘结层;/n(ii)通过包括等离子体蚀刻或水喷射法的技术机械破坏或摧毁所述的粘结层,以至少部分蚀刻或分解所述的粘结层;/n(iii)锯开或切割开所述的粘结层;/n(vi)割开所述的粘结层;/n(v)溶解位于第一和第二基材之间的清洁层;和/n(vi)对所述堆叠体进行手指按压或缓慢楔入,以分离所述第一和第二基材。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁尔科技公司,未经布鲁尔科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580003864.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:脱模膜、以及密封体的制造方法
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造