[发明专利]包含MnBi的各向异性复合烧结磁体和用于制备其的常压烧结工艺有效

专利信息
申请号: 201580003552.0 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN106537525B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 金真培;边良禹 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01F1/053 分类号: H01F1/053;H01F1/057;H01F1/059;H01F1/40;H01F41/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;穆德骏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及包含具有提高的磁特性的MnBi的各向异性复合烧结磁体和用于制备其的常压烧结方法。根据本发明的包含MnBi的各向异性复合烧结磁体可以实现优异的磁特性,因此可以代替在相关领域中的稀土粘结磁体,并且能够实现连续过程,这是因为通过常压烧结方法制备该磁体,并且原样使用用于相关领域中的永磁体过程的烧结方法,使得各向异性复合烧结磁体是经济的。
搜索关键词: 包含 mnbi 各向异性 复合 烧结 磁体 用于 制备 常压 工艺
【主权项】:
1.一种用于制备包含MnBi的各向异性复合烧结磁体的常压烧结方法,所述方法包括:(a)通过快速凝固工艺(RSP)制备非磁性相MnBi基带;(b)对所述非磁性相MnBi基带进行热处理以将其转化为磁性相MnBi基带;(c)粉碎所述磁性相带以制备MnBi硬磁性相粉末;(d)在润滑剂的存在下将所述MnBi硬磁性相粉末与稀土硬磁性相粉末混合;(e)通过施加外部磁场和压力在磁场中使所述混合物成型,其中施加的所述压力为300Mpa~1000Mpa;以及(f)对所述成型制品进行常压烧结工艺,其中在步骤(a)中制备的所述MnBi基带具有50nm~100nm的晶粒尺寸。
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