[发明专利]具有栅极底部隔离的晶体管器件及其制造方法

摘要

实施例涉及晶体管器件，该晶体管器件包含半导体材料的柱，该半导体材料的柱从与导电接触线相接触的底部部分垂直地延伸，其中该导电接触线在水平方向上横向地延伸经过该柱、该柱的横向侧面上的栅极绝缘衬垫层、该栅极绝缘衬垫层上的沿该柱的横向侧面延伸的栅电极、以及电绝缘半导体氧化物材料的区域，该电绝缘半导体氧化物材料的区域填充该栅电极的底部部分和该导电接触线的顶部部分之间的空间。

主权项

1.一种制造器件中的一个或多个晶体管的方法，所述方法包含：a)提供基部，所述基部包含与多个电绝缘线水平地交替布置的多个导电接触线，其中所述多个电绝缘线使所述多个导电接触线中的每一个与所述多个导电接触线中的其他导电接触线绝缘；b)在所述多个导电接触线的顶部表面中形成凹陷；c)在所述基部的顶部表面上形成层堆叠体，所述层堆叠体包含半导体材料的至少一层，其中所述半导体材料延伸入并填充所述凹陷；d)图案化所述层堆叠体，以暴露所述多个电绝缘线，并在所述层堆叠体中形成水平地延伸的第一多个沟槽，所述第一多个沟槽叠盖所述暴露的多个电绝缘线；e)用电绝缘填充材料填充所述第一多个沟槽；f)图案化所述层堆叠体和所述电绝缘填充材料以形成第二多个沟槽，所述第二多个沟槽在横向于所述第一多个沟槽的方向上水平地延伸，其中所述第二多个沟槽中的每一个的底部包含多个上绝缘层以及填充所述一个或多个凹陷的多个半导体材料的水平地交替布置的暴露的区域；以及g)使填充所述一个或多个凹陷的半导体材料的一个或多个区域氧化，以形成一个或多个绝缘氧化物区域。