[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580003544.6 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105874607B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 栗林秀直;北村祥司;小野泽勇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从基体正面侧向p+阳极层(7)进行氩(8)的离子注入(8a)，形成缺陷层(9)。这时，在之后的铂扩散工序中，将氩(8)的飞程设为比p+阳极层(7)的扩散深度(Xj)浅，以使铂原子(11)局部存在于p+阳极层(7)的、与n‑漂移层(6)的pn结附近的电子进入区域内。之后，使涂布于基体背面(5a)的铂膏(10)中的铂原子(11)扩散到p+阳极层(7)内，并局部存在于缺陷层(9)的阴极侧。由此，p+阳极层(7)的寿命变短。另外，n‑漂移层(6)内的铂原子(11)被缺陷层(9)捕获，使得n‑漂移层(6)的铂浓度降低，n‑漂移层(6)内的寿命变长。因此，能够减小反向恢复电流，缩短反向恢复时间，并降低正向压降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，形成在所述第一半导体层的第一主面的表面层，且杂质浓度比所述第一半导体层高；含有氩的氩导入区，从所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的pn结朝向所述第一主面侧形成预定的深度，所述预定的深度使氩导入区的厚度比所述第二半导体层薄，所述第二半导体层的铂从所述第一半导体层扩散而来，从所述第一半导体层到所述第二半导体层的铂浓度分布在所述氩导入区具有最大浓度。
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