[发明专利]模制电介质纳米结构有效
| 申请号： | 201580002713.4 | 申请日： | 2015-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN106068556B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | S·金;K·J·库恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及对结构(例如，鳍状物)的选择性蚀刻，以形成具有初始结构的形状的空位。然后，该空位可以起到模具的作用。可流动的电介质材料填充所述空位，以形成与所述初始结构/模具相同的形状。然后，发生后处理(例如，氧化积累和退火)，以使空位内的电介质硬化。所得到的产物是模制电介质纳米结构，该结构具有与所述初始结构相同的形状，但是由不同的材料组成(例如，电介质代替硅)。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：包括第一部分和第二部分的鳍状物，所述第一部分和所述第二部分彼此共线并且均与所述鳍状物的纵轴相交；其中，(a)所述第一部分包括可流动的电介质；(b)所述第二部分包括半导体材料而不包括电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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