[发明专利]聚合物发光二极管结构及制造方法,显示基板和显示装置在审
| 申请号: | 201580002628.8 | 申请日: | 2015-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN105765739A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
| 发明(设计)人: | 崔颖;胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供一种聚合物发光二极管(polymer light‑emitting diode,PLED)结构。所述PLED结构包括:基板;在基板上的阳极层;像素定义层,用于定义具有多个像素的显示区域;发光层,位于每个像素里的子像素中,用以发出色光;和子像素阻挡层,在所述像素定义层和阴极层之间,用以覆盖所述发光层的周边部分并露出所述发光层的中心部分,所述子像素阻挡层在所述基板上的垂直投影与所述发光层的所述周边部分在所述基板上的垂直投影的部分重合,并且所述发光层的中心部分接触所述阴极层。 | ||
| 搜索关键词: | 聚合物 发光二极管 结构 制造 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】:
一种聚合物发光二极管结构,其特征在于,包括:基板;在基板上的阳极层;像素定义层,用于定义具有多个像素的显示区域;发光层,位于每个像素里的子像素中,用以发出色光;和子像素阻挡层,在所述像素定义层和阴极层之间,用以覆盖所述发光层的周边部分并露出所述发光层的中心部分,所述子像素阻挡层在所述基板上的垂直投影与所述发光层的所述周边部分在所述基板上的垂直投影的部分重合,并且所述发光层的中心部分接触所述阴极层。
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