[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201580001562.0 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN107210305A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 关川宏昭 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/82;H01L23/522;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体器件具有彼此同层地形成在半导体衬底的上方的多个布线(WR11);以及分别与多个布线(WR11)同层地形成的多个布线(WR12)。多个布线(WR11)在俯视时分别沿X轴方向延伸、且沿与X轴方向交叉的Y轴方向以间距(PT11)排列,多个布线(WR12)在俯视时分别沿X轴方向延伸、且沿Y轴方向以间距(PT12)排列。多个布线(WR11)分别与多个布线(WR12)的每一个电连接,间距(PT11)比间距(PT12)小。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具有:半导体衬底;多个光电转换元件,其在所述半导体衬底的主面的第一区域中形成于所述半导体衬底的所述主面;多个第一布线,其在所述第一区域中彼此同层地形成在所述半导体衬底的所述主面的上方;以及多个第二布线,其在所述半导体衬底的所述主面的第二区域中分别与所述多个第一布线同层地形成,所述第二区域是在俯视时配置在第一方向上的所述第一区域的第一侧的区域,所述多个第一布线在俯视时分别沿所述第一方向延伸,并且沿与所述第一方向交叉的第二方向以第一间距排列,所述多个第二布线在俯视时分别沿所述第一方向延伸,并且沿所述第二方向以第二间距排列,所述多个第一布线分别与所述多个第二布线的每一个电连接,所述第一间距比所述第二间距小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580001562.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种立柱式升降配电箱柜
- 下一篇:一种安全防护性漆包线磨线机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的