[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201580001562.0 申请日: 2015-02-13
公开(公告)号: CN107210305A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 关川宏昭 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/82;H01L23/522;H04N5/369
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体器件具有彼此同层地形成在半导体衬底的上方的多个布线(WR11);以及分别与多个布线(WR11)同层地形成的多个布线(WR12)。多个布线(WR11)在俯视时分别沿X轴方向延伸、且沿与X轴方向交叉的Y轴方向以间距(PT11)排列,多个布线(WR12)在俯视时分别沿X轴方向延伸、且沿Y轴方向以间距(PT12)排列。多个布线(WR11)分别与多个布线(WR12)的每一个电连接,间距(PT11)比间距(PT12)小。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,具有:半导体衬底;多个光电转换元件,其在所述半导体衬底的主面的第一区域中形成于所述半导体衬底的所述主面;多个第一布线,其在所述第一区域中彼此同层地形成在所述半导体衬底的所述主面的上方;以及多个第二布线,其在所述半导体衬底的所述主面的第二区域中分别与所述多个第一布线同层地形成,所述第二区域是在俯视时配置在第一方向上的所述第一区域的第一侧的区域,所述多个第一布线在俯视时分别沿所述第一方向延伸,并且沿与所述第一方向交叉的第二方向以第一间距排列,所述多个第二布线在俯视时分别沿所述第一方向延伸,并且沿所述第二方向以第二间距排列,所述多个第一布线分别与所述多个第二布线的每一个电连接,所述第一间距比所述第二间距小。
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