[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201580000842.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106170874A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;金石中;李昌勋;辛元载 | 申请（专利权）人： | 思特亮株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，包括：发光部，其具备：第一半导体层，其具有第一导电性；第二半导体层，其具有与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，利用电子与空穴的再结合而生成光；绝缘层，其形成于发光部的一侧；及第一电极及第二电极，该第一电极及第二电极分别与第一半导体层及第二半导体层电气地连通，并相对于发光部形成于相同的方向，在该第一电极和第二电极中的至少一个以绝缘层为基准设于发光部的相反侧，在第一电极与第二电极之间的绝缘层侧发光部形成有至少一个槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
半导体发光元件，其特征在于，包括：发光部，其具备：第一半导体层，其具有第一导电性；第二半导体层，其具有与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，利用电子与空穴的再结合而生成光；绝缘层，其形成于发光部的一侧；及第一电极和第二电极，该第一电极及第二电极分别与第一半导体层及第二半导体层电气地连通，并相对于发光部形成于相同的方向上，在该第一电极和第二电极中的至少一个以绝缘层为基准设于发光部的相反侧，在第一电极与第二电极之间的绝缘层侧发光部形成有至少一个槽。
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