[实用新型]非易失性集成电路存储器单元和电阻性随机存取存储结构有效
| 申请号： | 201521130264.5 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN205542903U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 柳青;J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及非易失性集成电路存储器单元和电阻性随机存取存储结构。非易失性集成电路存储器单元，包括：支撑衬底；电阻性随机存取存储器结构，包括：第一电极，包括：在支撑衬底上的硅化物化的半导体鳍；以及覆盖硅化物化的半导体鳍的第一金属内衬层；电介质材料层，具有可配置的电阻性质并且覆盖第一金属内衬层的至少一部分；以及第二电极，包括：覆盖电介质材料层的第二金属内衬层；以及与第二金属内衬层相接触的金属填充物；晶体管，具有连接至第一电极和第二电极之一的第一源漏端子；源极线，连接至晶体管的第二源漏端子；字线，连接至晶体管的栅极端子；以及位线，连接至第一电极和第二电极中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 集成电路 存储器 单元 电阻 随机存取 存储 结构 | ||
【主权项】：
一种非易失性集成电路存储器单元，其特征在于，包括：支撑衬底；电阻性随机存取存储器结构，所述电阻性随机存取存储器结构包括：第一电极，所述第一电极包括：在所述支撑衬底上的硅化物化的半导体鳍；以及覆盖所述硅化物化的半导体鳍的第一金属内衬层；电介质材料层，所述电介质材料层具有可配置的电阻性质并且覆盖所述第一金属内衬层的至少一部分；以及第二电极，所述第二电极包括：覆盖所述电介质材料层的第二金属内衬层；以及与所述第二金属内衬层相接触的金属填充物；晶体管，所述晶体管具有连接至所述第一电极和所述第二电极之一的第一源漏端子；源极线，所述源极线连接至所述晶体管的第二源漏端子；字线，所述字线连接至所述晶体管的栅极端子；以及位线，所述位线连接至所述第一电极和所述第二电极中的另一个。
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