[实用新型]一种二极管及瞬态电压抑制器有效

专利信息
申请号: 201521112581.4 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN205488143U 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 徐芳芳 申请(专利权)人: 上海智晶半导体科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L27/02;H01L23/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种二极管及瞬态电压抑制器,二极管包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成,所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层,所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层;所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间,所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接;所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内,所述芯片包括硅基片,其中,该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层,N型衬底和P型扩散层之间形成PN结,所述硅基片的上表面上进一步设有沟道,沟道将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台。所述瞬态电压抑制器包括上述的二极管。本实用新型可以提高切割速度。
搜索关键词: 一种 二极管 瞬态 电压 抑制器
【主权项】:
一种二极管,其特征在于,包括芯片、上下钉头无氧铜导线、焊接层、非空腔塑封体组成,所述芯片台面周围设置有一次性涂覆电子纯聚酰亚胺胶层,所述涂覆电子纯聚酰亚胺胶层的芯片二次再涂覆有电子纯硅橡胶层;所述芯片位于上下钉头无氧铜导线之间,所述上下钉头无氧铜导线的上下钉头与芯片通过焊接层连接;所述上下钉头、焊接层、芯片模塑封装在塑封体内,所述芯片包括硅基片,其中,该硅基片包含有N型衬底和P型扩散层,N型衬底和P型扩散层之间形成PN结,所述硅基片的上表面上进一步设有沟道,沟道将硅基片上表面划分为位于芯片中间的凸台,PN结暴露在沟道的侧壁上,沟道的底部和侧壁上均覆盖有钝化层。
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