[实用新型]Si衬底LED外延片有效
| 申请号： | 201521094173.0 | 申请日： | 2015-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN205452330U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘波;房玉龙;王波;袁凤坡;潘鹏;汪灵;白欣娇;周晓龙;王静辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种Si衬底LED外延片，涉及具有特殊晶体结构的器件技术领域。所述外延片包括Si衬底和位于Si衬底上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层、非故意掺杂U型GaN层、Si掺杂N型GaN层、InGaN/GaN多重量子阱发光层、电子阻挡层和Mg掺杂P型GaN层。所述外延片提高了内量子效率；同时减少压电极化电场，增加电子和空穴的波函数交叠，使得辐射复合概率增加，进一步提高了内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 led 外延 | ||
【主权项】：
一种Si衬底LED外延片，其特征在于：包括Si衬底（1）和位于Si衬底（1）上表面的外延层，所述外延层从下到上依次为AlN/AlGaN缓冲层（2）、非故意掺杂U型GaN层（3）、Si掺杂N型GaN层（4）、InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）、电子阻挡层（6）和Mg掺杂P型GaN层（7）；所述InGaN/GaN多重量子阱发光层（5）包括9～15 对InGaN阱层（5‑3）和GaN垒层（5‑2）结构；所述InGaN阱层（5‑3）的厚度为 2纳米‑4纳米；每层InGaN阱层（5‑3）的上下两侧分别设有3埃～5埃的InN层（5‑1）；GaN垒层（5‑2）的厚度为9～12纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201521094173.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
