[实用新型]热电堆红外探测器有效
| 申请号: | 201521068407.4 | 申请日: | 2015-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN205211778U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 孙福河;闻永祥;季锋;刘琛;陈雪平;孙伟 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;G01J5/12 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余毅勤 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供一种热电堆红外探测器。所述热电堆红外探测器包括:P型掺杂的硅衬底、N阱、空腔、外延层、绝缘层和热电堆,所述N阱位于所述硅衬底中并包围空腔,所述外延层位于所述空腔上并封闭所述空腔,所述绝缘层位于所述外延层上,所述热电堆的热端位于所述空腔上方的绝缘层上,所述热电堆的冷端与硅衬底相连接。本实用新型无需通过长时间的湿法腐蚀或干法刻蚀工艺来形成空腔,并且空腔的形成是在金属淀积之前,不存在常规湿法腐蚀硅衬底形成空腔的工艺中对金属的腐蚀问题。 | ||
| 搜索关键词: | 热电 红外探测器 | ||
【主权项】:
一种热电堆红外探测器,其特征在于,包括:P型掺杂的硅衬底、N阱、空腔、外延层、绝缘层和热电堆,所述N阱位于所述硅衬底中并包围所述空腔,所述外延层位于所述空腔上并封闭所述空腔,所述绝缘层位于所述外延层上,所述热电堆的热端位于所述空腔上方的绝缘层上,所述热电堆的冷端与硅衬底相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





