[实用新型]瓷封式浪涌保护器有效
| 申请号： | 201521020431.0 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN205159308U | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 茅寅松;吴岩 | 申请（专利权）人： | 上海安导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/08;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 201422 上海市奉贤*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种瓷封式浪涌保护器，包括外壳、金属包裹层、半导体芯片以及框架式焊接结构；其中，所述包裹层和所述半导体芯片的数量为多个，任意相邻的所述金属包裹层之间均设置有所述半导体芯片构成器件主体；所述框架式焊接结构包括第一框架式焊接结构和第二框架式焊接结构；所述第一框架式焊接结构的一端连接设置在所述器件主体一端的一金属包裹层，第二框架式焊接结构的一端连接设置在所述器件主体另一端的另一金属包裹层；所述包裹层、所述半导体芯片、所述第一框架式焊接结构的一端以及所述第二框架式焊接结构的一端设置在所述外壳内侧。本实用新型中通过金属包裹层包裹半导体芯片，避免了产品在制作过程中对半导体芯片不必要的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 瓷封式 浪涌保护器 | ||
【主权项】：
一种瓷封式浪涌保护器，其特征在于，包括外壳、金属包裹层、半导体芯片以及框架式焊接结构；其中，所述包裹层和所述半导体芯片的数量为多个，任意相邻的所述金属包裹层之间均设置有所述半导体芯片构成器件主体；所述框架式焊接结构包括第一框架式焊接结构和第二框架式焊接结构；所述第一框架式焊接结构的一端连接设置在所述器件主体一端的一金属包裹层，第二框架式焊接结构的一端连接设置在所述器件主体另一端的另一金属包裹层；所述包裹层、所述半导体芯片、所述第一框架式焊接结构的一端以及所述第二框架式焊接结构的一端设置在所述外壳内侧。
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