[实用新型]一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201521006351.X | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN205428936U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;闫俊达;李百泉;王权;肖红领;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;介芳 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管，该氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括：集电极金属层、P+氮化镓衬底、N-型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO2介质层、栅极金属层、SiO2介质层和发射极金属层。该晶体管的制造工艺过程简单、重复性好、可靠性高。经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括：集电极金属层、P+氮化镓衬底、N‑型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO2介质层、栅极金属层、SiO2介质层和发射极金属层。
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