[实用新型]电子器件有效
| 申请号: | 201520964578.9 | 申请日: | 2015-11-26 | 
| 公开(公告)号: | CN205159309U | 公开(公告)日: | 2016-04-13 | 
| 发明(设计)人: | N·奥特利耶;R·富尔内尔;F·加内塞罗;F·居亚代;V·菲奥里 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L21/762 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;杨立 | 
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR | 
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种电子器件,具有后板,该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。 | ||
| 搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
                一种电子器件,其特征在于,包括:后板,所述后板包括衬底后层、衬底前层以及在所述衬底后层与所述衬底前层之间的电介质中间层;电子结构,所述电子结构在所述衬底前层上并且包括电子部件和电气连接;以及所述衬底后层包括至少一个实心的局部区域以及至少一个空心的局部区域,其中所述至少一个空心的局部区域在所述衬底后层的整个厚度上延伸,使得所述衬底后层并不覆盖所述电介质中间层的后面的至少一个局部区带,其中所述至少一个局部区带对应于所述至少一个空心的局部区域。
            
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            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体有限公司,未经意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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